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    中低真空系統

    減壓條件下的流動氣體環境已用于低壓化學蒸發淀積、減壓外延和幾種等離子體工藝過程。所有這些工藝的共同環節是抽除有害

    氣體。機械泵和羅茨泵很適用于維持10至104Pa范圍的動態壓強。在低壓化學蒸發淀積和等離子體工藝過程中,通過反應室的氣流

    主要用來連續補充在生長或蝕刻過程中所消耗掉的反應劑。例如,在每批100片直徑76mm的基片的兩面上以20 nm/min的生長速率

    來生長膜層的多晶硅淀積時,通常要求300Pa·L/s的流量。氣體的消耗率和基片的數最、真空室的面積、膜層的生長速率和氣體

    反應劑的稀釋度與消耗量有關。

    在某些商用減壓外延工藝中,大的氣流量稀釋反應劑以進行生長而不是蝕刻。在低壓強下外延硅時,300Pa·L/s的反應劑氣體流

    通常需要用105Pa·L/s左右的氫氣來進行稀釋,并流過103至104帕壓強的反應室。減壓外延是一個相當新的技術,對于工藝過程

    的主要部分將保持這樣大小的載氣流量這一點是不清楚的。


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